Infineon IGB30N60H3ATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IGB30N60H3ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Infineon IGB30N60H3ATMA1 IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3, Through Hole
IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
600 V HIGH SPEED IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
High speed 600 V, 30 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.
IGBT, SINGLE, 600V, 60A, TO-263; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Igbt, 600V, 60A, 175Deg C, 187W; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.95V; Power Dissipation:187W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation187 W
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen