Infineon IGB10N60TATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STMicroelectronicsSTGB10M65DF2
IGBT 650V 10A D2PAK / IGBT Trench Field Stop 650 V 20 A 115 W Surface Mount D²PAK (TO-263)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IGB10N60TATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
IGB10N60T Series 600 V 20 A 110 W Surface Mount Low Loss IGBT - TO-263-3
IGBT,600V,10A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:110W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:110W
Hard-switching 600 V, 10 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete in TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation110 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height4.57 mm
Length10.31 mm
Width9.45 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen