Infineon FP30R06W1E3B11BOMA1

600 V, 30 A three phase PIM IGBT module, AG-EASY1B-2, RoHS
$ 25.116
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon FP30R06W1E3B11BOMA1 herunter.

Infineon

Datasheet1 SeiteVor 14 Jahren

IHS

iiiC

_legacy Avnet

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+159%
Powered bySpectra logo

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonFP30R06W1E3B11BOMA1
InfineonFP30R06W1E3BOMA1
Price @ 1000
$ 25.116
$ 23.771
Stock
67,417
77,378
Authorized Distributors
6
6
Mount
Screw
Screw
Case/Package
Module
Module
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
600 V
Max Collector Current
37 A
37 A
Power Dissipation
-
115 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
Reverse Recovery Time
-
-

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Verwandte Teile

InfineonFP20R06W1E3B11BOMA1
Infineon FP20R06W1E3B11BOMA1 Common Collector IGBT Module, 29 A 600 V, 22-Pin EASY1B, PCB Mount
Details
InfineonFS20R06W1E3BOMA1
EasyPACK™ 1B 600V sixpack IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC.
Details
Rochester ElectronicsDDB6U30N08VRBOMA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Details
MicrochipAPTGT20H60T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT20H60T1G
Details
MicrochipAPTGT75DA60T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT75DA60T1G
Details
onsemiFP7G50US60
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon FP30R06W1E3B11BOMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

600 V, 30 A three phase PIM IGBT module, AG-EASY1B-2, RoHS
Infineon SCT
EasyPIM™ 1B 600 V, 30 A IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and PressFIT Contact Technology
Infineon
Igbt, 3-Phase Inv, 600V, 37A, Module; Continuous Collector Current:37A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:115Mw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Press Fit; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FP30R06W1E3B11BOMA1
Newark

Bilder

RS
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FP30R06W1E3-B11
  • FP30R06W1E3B11
  • FP30R06W1E3_B11
  • SP000790722