Infineon BSS816NWH6327XTSA1

Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.4 A, 160 Milliohms, SOT-323, 3 Pins, Surface Mount
$ 0.081
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
BSS816NWH6327XTSA1132.0003K
4d
Newark
2
BSS816NWH6327XTSA1191Cut Tape
Future Electronics
2
BSS816NWH6327XTSA190.0003KTape & Reel
Arrow Electronics
3
BSS816NWH6327XTSA114.8411
RutronikTMOS329824.0003K
15h

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 14 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2011-07-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Verwandte Teile

InfineonBSS214NWH6327XTSA1
On a Reel of 250, N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 Infineon BSS214NWH6327XTSA1
Details
Diodes Inc.DMN2004WK-7
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Details
Diodes Inc.DMG1012UW-7
N-Channel 20 V 1 A 0.45 O Surface Mount Enhancement Mode Power MosFet - SOT-323
Details
Diodes Inc.DMP2160UW-7
DMP2160UW Series 20 V 100 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-323
Details
onsemi3LP01M-TL-H
Small Signal MOSFET -30V -100mA 10.4 Ohm Single P-Channel MCP3
Details
InfineonBSS223PWH6327XTSA1
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Surface Mount
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSS816NWH6327XTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.4 A, 160 Milliohms, SOT-323, 3 Pins, Surface Mount
EBV Elektronik
500mW 8V 750mV 0.6nC@ 2.5V 1N 20V 160m¦¸@ 2.5V 1.1A 180pF@ 10V SOT-323-3 2.9mm*1.3mm*1.1mm
UnikeyIC
MOSFET Devices; INFINEON; BSS816NWH6327XTSA1; 20 V; 1.4 A; 8 V; 500 mW
Maritex
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.4A, Sot-323-3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:1.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:2.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:550Mv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS816NWH6327XTSA1
Newark
Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N- and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages. With unmatched levels of reliability and manufacturing capacity these components are ideally suited for a wide variety of applications including LED Lighting, ADAS, body control units, SMPS and motor control.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 1.4 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 160 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 2.2 / Rise Time ns = 9 / Turn-OFF Delay Time ns = 11 / Turn-ON Delay Time ns = 5.3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-323 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
Distrelec

Bilder

Farnell
Augswan
TME
Farnell
Micros
Distrelec
TME
LZChips
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSS816NW H6327
  • BSS816NWH6327
  • SP000917562