Infineon BSP322P L6327
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.342
Stock
12,976
493,224
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
1 A
1 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
800 mΩ
800 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
372 pF
280 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-05-15
LTD Date2013-11-15
Verwandte Teile
InfineonBSP316P L6327
MOSFET, P-CH, 100V, 680MA, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Dr
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSP322P L6327, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, P-CH, 100V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain
Compliant Surface Mount 4.3 ns 4.3 ns No SVHC 800 mΩ -1.5 V SOT-223-4
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, 4-PIN
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223-4
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time4.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance372 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.5 V
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time4.3 ns
Turn-Off Delay Time21.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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