Infineon BSP171PH6327
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.678
$ 0.678
Stock
376,667
2,077,242
2,077,242
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223-3
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
1.9 A
1.8 A
1.8 A
Threshold Voltage
-
-2 V
-2 V
Rds On Max
-
500 mΩ
500 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
2 W
2 W
Input Capacitance
-
270 pF
270 pF
Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonBSP135H6433XTMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSP171PH6327, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
60V 1.9A 300m´Î@10V1.9A 1.8W 2V@460Ã×A P Channel SOT-223 MOSFETs ROHS
1.8W 20V 2V 13nC@ 10V 1P 60V 300m¦¸@ 10V 365pF@ 25V SOT , 6.5mm*350cm*1.8mm
MOSFETs; BSP171P H6327; INFINEON TECHNOLOGIES; -60 V; 20 V; 1.8 W
SIPMOS SMALL SIGNAL TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.9 A
Current19 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Fall Time87 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.8 W
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time208 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen