Infineon BSM75GAL120DN2
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-06-15
LTD Date2023-06-15
Verwandte Teile
InfineonFS75R12W2T4BOMA1
Infineon FS75R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 107 A 1200 V Module, Panel Mount
MicrochipAPTGT50A120T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT50A120T1G
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSM75GAL120DN2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IGBT 75A 1200V SINGLE CHOPPER
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
MountScrew
Number of Pins534
Number of Terminals7
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage3.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current105 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current75 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Power Dissipation625 W
Turn-Off Delay Time450 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height30.5 mm
Length94 mm
Width34 mm