Infineon BSD235CH6327XTSA1
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BSD235CH6327XTSA1 | 102.000 | 3K | 4d | ||||||||
| Newark | BSD235CH6327XTSA1 | 9.440 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BSD235CH6327XTSA1 | 35.867 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | BSD235CH6327XTSA1 | 9.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | BSD235CH6327XTSA1CT-ND | 21.898 | 1 | Cut Tape |
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Stock
4,007,639
201,092
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-363
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
950 mA
1 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
350 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
-
Power Dissipation
500 mW
-
Input Capacitance
47 pF
-
Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMC3400SDW-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
onsemiNTJD2152PT1G
Small Signal MOSFET 8V 775mA 300 mOhm Dual P-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363 with ESD Protection
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSD235CH6327XTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
MOSFET Devices; INFINEON; BSD235CH6327XTSA1; -20 V; 530 mA; 12 V; 500 mW
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N & P CH, 20V, 0.95A, SOT-363-6; Transistor Polarity:N and P Complement; Continuous Drain Current Id:950mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.266ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold V
500mW 12V 1.2V@ N Channel,600mV@ P Channel 0.34nC@ 4.5V @ NChannel,0.4nC@ 4.5V @ PChannel 1N,1P 20V 350m¦¸@ 4.5V @ N Channel,1.2¦¸@ 4.5V @ P Channelm¦¸ 47pF@ 10V @ N Channel,37pF@ 10V @ P Channel SOT-363-6 2.9mm*1.3mm*1.1mm
Complementary power MOSFETs - an n-channel and a p-channel power MOSFET within the same package - are part of Infineon’s famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)950 mA
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance47 pF
Max Dual Supply Voltage-20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
On-State Resistance350 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation500 mW
Rds On Max350 mΩ
Schedule B8541210080
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen