Infineon BSC750N10NDGATMA1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMN10A08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 / Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
onsemiFDMC86116LZ
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, SHIELDED GATE, POWERTRENCH, 100V, 7.5A, 103MOHM
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC750N10NDGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A Automotive 8-Pin TDSON EP
Compliant Surface Mount 1 mm Contains Lead Tape & Reel 4 ns Halogen Free 8
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 100V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
PFET, 3.2A I(D), 100V, 0.075OHM,
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
MOSFET, N CH, 13A, 100V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):62mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:26W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:13A; Power Dissipation Pd:26W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance540 pF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation26 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance75 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation26 W
Rise Time4 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen