Infineon BSC109N10NS3GATMA1
$ 0.692
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -12.12%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC109N10NS3GATMA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon BSC109N10NS3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC109N10NS3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
78KW 20V 26nC@ 10V 1N 100V 10.9m¦¸@ 10V 1.9nF@ 50V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
100V 63A 78W 10.9mΩ@10V,46A 3.5V@45uA 1 N-Channel PDFN-8(5.2x6.2) MOSFETs ROHS
100V 63A 78W 10.9m´Î@10V46A 3.5V@45Ã×A N Channel PG-TDSON-8 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON T/R
MOSFET, N CH, 100V, 63A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:63A; Source Voltage Vds:100V; On Resistance
Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 100V, 0.0109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CH 100V 63A 10.9mOhm TDSON-8
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
BSC109N10NS3G INFINEON TDSON-8-4
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -12.12%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)63 A
Drain to Source Resistance10.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance10.9 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation78 W
Rds On Max10.9 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.7 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC109N10NS3GATMA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen