Infineon BSC100N06LS3GATMA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC100N06LS3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, 8TDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
OptiMOS3 Power-Transistor / Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 55 A, 10 Milliohms, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, 8TDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Power Dissipation Pd:50W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:8; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance10 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation50 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen