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Verwandte Teile
Diodes Inc.BSS138Q-7-F
Single N-Channel 50 V 3.5 Ohm 300 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
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MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 N-Channel 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
VishaySQ2362ES-T1_GE3
SQ2362ES Series 60 V 0.068 Ohm 4.3 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC889N03LSG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Fall Time2.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance41 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time2.2 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time2.8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen