Infineon BSC080N03MSGATMA1
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-10-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonBSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies N channel OptiMOS3 power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1
InfineonIRF7805ZTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC080N03MSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
13 A 30 V 0.0102 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
MOSFET, N CH, 53A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:53A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:53A; Power Dissipation Pd:35W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance10.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation35 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time5.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen