Diodes Inc. DMN3007LSS-13
$ 0.294
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN3007LSS-13 | 0 | 1 | 1h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN3007LSS-13 | 0 | 50 | Bulk | 1d | |||||||
| Avnet | DMN3007LSS-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-DMN3007LSS-13 | 37.000 | 180 | 12h | ||||||||
| ICPartonline | DMN3007LSS-13 | 14.943 | >1wk |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMG4413LSS-13
Mosfet, P-Ch, 30V, 12A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4413LSS-13
Diodes Inc.DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3007LSS-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SOP T/R
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET SOP8
Field Effect Tube (MOSFET)
new, original packaged
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.995985 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time43.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.714 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max7 mΩ
Resistance7 MΩ
Rise Time14.8 ns
Turn-Off Delay Time85.1 ns
Turn-On Delay Time10.3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen