Infineon BSC050N03MSGATMA1
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC050N03MSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30 V 80 A 5 mO 34 nC SMT OptiMOS Power Mosfet - TDSON-8
MOSFET, N CH, 80A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:50W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:80A; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
With the new OptiMOS 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. | Summary of Features: Ultra low gate and output charge; Lowest on-state resistance in small footprint packages; Easy to design in | Benefits: Increased battery lifetime; Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete; Saving costs; Saving space; Reducing power losses | Target Applications: Onboard charger; Notebook; Mainboard; DC-DC; VRD/VRM; Motor control; LED
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Resistance6.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation50 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time7.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen