Infineon BSC022N04LSATMA1
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.669
$ 0.669
Stock
395,093
440,183
440,183
Authorized Distributors
1
3
3
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
25 A
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
2.2 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
69 W
3.1 W
3.1 W
Input Capacitance
2.6 nF
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-05-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonIPB120N04S402ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
onsemiNTMFS5C442NLT1G
Power Field-Effect Transistor, 121A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC022N04LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0018ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Dual Supply Voltage40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.2 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Rds On Max2.2 mΩ
Rise Time6.8 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen