Infineon BSC016N03LSGATMA1

Mosfet N-ch 30V 100A TDSON8 / Trans Mosfet N-ch 30V 100A Automotive 8-PIN Tdson Ep T/r
$ 0.796
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBSC016N03LSGATMA136.502
5h
FarnellBSC016N03LSGATMA101
5h
Mouser
2
726-BSC016N03LSG2.8871Tape & Reel
Component Stockers USABSC016N03LSGATMA115.175
7d
Win Source
2
WS-BSC016N03LS G22.70045
6h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 15 Jahren

Farnell

_legacy Avnet

Burklin Elektronik

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Verwandte Teile

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Transistor MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC016N03LSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 / Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Win Source
MOSFET N-CH 30V 100A 125W TDSON-8 Pb-Free
ACDS
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
PFET, 32A I(D), 30V, 0.0023OHM,
DigiKey
2.5W(Ta),125W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 131nC@ 10 V 1N 30V 1.6m¦¸@ 30A,10V 100A 10nF@15V TDSON-8 5.9mm*5.15mm*1.27mm
UnikeyIC
BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Dasenic
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Bilder

Farnell
Augswan
TME
LZChips
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC016N03LS G
  • BSC016N03LSG
  • BSC016N03LSGATMA1.
  • SP000237663