Infineon BSC014N06NSATMA1

2.5KW 20V 3.3V 89NC@ 10V 1N 60V 1.45M¦¸@ 10V 100A 6.5NF@ 30V Tdson(ep) , 5MM*600CM*1.1MM
$ 1.778
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
BSC014N06NSATMA119.5145Cut Tape
Future Electronics
2
BSC014N06NSATMA15.0005KTape & Reel
Arrow Electronics
2
BSC014N06NSATMA15.3681
RutronikTMOS12675.0005K
28m
Rochester ElectronicsBSC014N06NSATMA144
17h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC014N06NSATMA1 herunter.

Infineon SCT

Datasheet10 SeitenVor 13 Jahren

IHS

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-35.23%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BSC014N06NSATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

InfineonBSC039N06NSATMA1
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 100A, 3.9 MOHM, 102A, 32 NC, TDSON8
Details
InfineonBSC031N06NS3GATMA1
MOSFET Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Details
InfineonBSC034N06NSATMA1
2.5KW 20V 3.3V 33nC@ 10V 1N 60V 3.4m¦¸@ 10V 100A 2.4nF@ 30V SON , 1.1mm
Details
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
Details
VishaySUM110P06-08L-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Details
VishaySQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC014N06NSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

2.5KW 20V 3.3V 89nC@ 10V 1N 60V 1.45m¦¸@ 10V 100A 6.5nF@ 30V TDSON(EP) , 5mm*600cm*1.1mm
Unikeyic (ICkey)
MOSFET Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.00145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
OptiMOS™ 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Infineon
MOSFET, N CH, 60V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V;
element14 APAC

Bilder

element14 APAC
Augswan
RS
TME
TME
Future Electronics
UTSource
RS

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC014N06NS
  • BSC014N06NS.
  • SP000924886