Infineon BSC014N04LSTATMA1

Transistor MOSFET N-Channel 650V 20.2A 5-Pin VSON T/R
$ 0.748
NRND
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC014N04LSTATMA15.4151Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC014N04LSTATMA15.0001
DigiKey
3
BSC014N04LSTATMA1CT-ND8.8181Cut Tape
Rochester ElectronicsBSC014N04LSTATMA113.724
16h
AvnetBSC014N04LSTATMA105K
2d

Datenblätter und Dokumente

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Newark

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonBSC014N04LSTATMA1
InfineonBSC014N04LSIATMA1
InfineonBSC014N04LSIATMA1
Price @ 1000
$ 0.748
$ 0.958
$ 0.958
Stock
413,411
894,656
894,656
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
32 A
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
-
1.45 mΩ
1.45 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
115 W
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
-
4 nF
4 nF

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC014N04LSTATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET N-Channel 650V 20.2A 5-Pin VSON T/R
Avnet
Transistor MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON T/R
Avnet Japan
OptiMOS™ 5 power MOSFET with enhanced temperature rating for improved robustness, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
MOSFETs; BSC014N04LSTATMA1; INFINEON TECHNOLOGIES; 40 V; 205 A; 20 V; 115 W
Maritex
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 205A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Infineon NMOSFET + OptiMOS 5, Vds=40 V, 205 A, TDSON, , 8
UnikeyIC
Infineon MOSFET BSC014N04LSTATMA1
RS APAC
BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Vigor Components
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, 115W, TDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 115W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
OptiMOS™ 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness.Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.
Infineon

Bilder

Farnell
LZChips
RS
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC014N04LST
  • SP001657070