Infineon BSC011N03LSATMA1

2.5KW 20V 2V 72NC 1N 30V 1.1M¦¸@ 10V 100A 4.7NF@ 15V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM
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Newark

Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren

IHS

Factory Futures

iiiC

Arrow Electronics

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Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

onsemiFDMS8670S
N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFET 30V, 42A, 3.5mΩ
SUD42N03-3M9P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 107 A, 30 V, 3-PIN TO-252AA
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 14A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC011N03LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

2.5KW 20V 2V 72nC 1N 30V 1.1m¦¸@ 10V 100A 4.7nF@ 15V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON T/R
MOSFETs; BSC011N03LS; INFINEON TECHNOLOGIES; 30 V; 37 A; 20 V; 96 W
MOSFET N-Channel 30V 37A OptiMOS TDSON8
Power Field-Effect Transistor, 204A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
OptiMOS™ 30V in SuperSO8 package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC011N03LSATMA1.
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage 5x6).

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC011N03LS
  • BSC011N03LSATMA1.
  • SP000799082