Infineon AUIRLR2905

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
$ 3.46
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)AUIRLR290501Bulk
18h
FarnellAUIRLR290501
1h
Microchip USAAUIRLR2905281300Bulk
18h
Win SourceWS-AUIRLR29053.712105
2h
Worldway ElectronicsAUIRLR290519.4407Tube
1h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 10 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 13 Jahren

element14 APAC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonAUIRLR2905
InfineonIRLR2905TRPBF
Price @ 1000
$ 3.46
$ 0.575
Stock
97,529
1,217,291
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
20 A
Threshold Voltage
1 V
2 V
Rds On Max
27 mΩ
27 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
110 W
69 W
Input Capacitance
1.7 nF
1.7 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31

Verwandte Teile

InfineonIRLR2905PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Details
InfineonIRLR2905TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Details
InfineonIRLR2905TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Details
onsemiFDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ
Details
onsemiFDD5680
N-Channel 60 V 21 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3
Details
onsemiFDD13AN06A0-F085
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 13.5mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon AUIRLR2905, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
MOSFET,W DIODE,N CH,55V,42A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:16V
element14 APAC
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Infineon

Bilder

Infineon
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFAUIRLR2905
  • SP001516026