Infineon AUIRFZ34N
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Obsolete
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Stock
94,221
1,362,771
Authorized Distributors
3
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
29 A
26 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
40 mΩ
40 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
68 W
56 W
Input Capacitance
700 pF
700 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31
Verwandte Teile
InfineonIRLZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 30A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-16V
InfineonIRFZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 29A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFZ34N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 29A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 55V, 29A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:68W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance40 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation68 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time49 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height16.13 mm
Length10.75 mm
Width4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen