Infineon AUIRFSA8409-7P
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRFSA8409-7P herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS7430TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
InfineonAUIRFS8409-7P
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonAUIRFS8409-7TRL
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 / Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTH410N4F7-6AG
Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-6 package
STMicroelectronicsSTH320N4F6-6
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 8-Pin H2PAK STMicroelectronics STH320N4F6-6
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFSA8409-7P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, 360A, To263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:360A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):500Μohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon AUIRFSA8409-7P
Benefits: Advanced Process Technology; New Ultra Low On-Resistance; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)360 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance690 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.975 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity50
Power Dissipation375 W
Rds On Max690 µΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height15.875 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRFSA8409-7P herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen