STMicroelectronics STH320N4F6-6
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLS3034TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 / Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
VishaySQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 200 A, 40 V, 7-PIN TO-263
STMicroelectronicsSTH410N4F7-6AG
Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-6 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STH320N4F6-6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 8-Pin H2PAK STMicroelectronics STH320N4F6-6
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-channel 40 V, 1.1 mOhm typ., 200 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-6 package
300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 240nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 1.3mΩ@ 80A,10V 200A 13.8nF@15V H2PAK-6 SMD mount 4.8mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation340 W
Rds On Max1.3 mΩ
Rise Time98 ns
Turn-Off Delay Time190 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length15.25 mm
Width10.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant