Infineon AUIRFR4105
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-11-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31
Verwandte Teile
InfineonIRLR2705TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
InfineonIRLR2705PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
InfineonIRFR4105PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 27A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W
VishaySQD30N05-20L_GE3
VISHAY SQD30N05-20L -GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFR4105, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET,W DIODE,N CH,55V,20A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:68W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation68 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time49 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen