Infineon AUIRFR3710ZTRL
$ 1.217
EOL
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.79%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon AUIRFR3710ZTRL Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginGermany, Mexico, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-02-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-15
LTD Date2027-04-15
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD70N10F4
N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in DPAK
STMicroelectronicsSTD45N10F7
N-channel 100 V, 0.013 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
InfineonIRFR2607ZTRPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
VishaySQD50P08-25L_GE3
P-Channel 80-V (D-S) 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD50P08-25L-GE3
VishayIRFR110PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFR3710ZTRL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 100 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.79%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.93 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max18 mΩ
Rise Time43 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.223 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen