Infineon AUIRF7342QTR
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Obsolete
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Price @ 1000
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$ 0.94
Stock
343,637
46,365
Authorized Distributors
2
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
3.4 A
3.4 A
Threshold Voltage
-1 V
-
Rds On Max
105 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
690 pF
690 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-02-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
Verwandte Teile
InfineonIRF7342TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID -3.4A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7342QTR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC / Mosfet Array 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Automotive Q101 -55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Dual P-Channel 55 V 0.17 Ohm 38 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, PP CH, 55V, 3.4A, SO8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.4A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Benefits: Advanced Planar Technology; Low On-Resistance; Logic Level Gate Drive; Dual P-Channel MOSFET; Dynamic dV/dT Rating; 150C Operating Temperature; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified | Target Applications: Port Injection; Solenoid Injection
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationDual
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance690 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max105 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen