Infineon AUIRF7313QTR
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Stock
781,390
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Authorized Distributors
3
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
6.9 A
6.9 A
6.9 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
3 V
Rds On Max
29 mΩ
29 mΩ
29 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.4 W
2.4 W
2.4 W
Input Capacitance
755 pF
755 pF
755 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2014-10-28
LTD Date2015-04-28
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7313QTR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
Automotive Q101 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package, SO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AUTO, DUAL N-CH, 30V, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Mosfet, Dual N-Ch, 30V, 6.9A, Soic; Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:6.9A; Continuous Drain Current Id P Channel:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies AUIRF7313QTR
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance755 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance29 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max29 mΩ
Rise Time7.3 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen