Diodes Inc. ZXMN3G32DN8TA
$ 0.476
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXMN3G32DN8TA | 2.000 | 500 | 5h | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN3G32DN8TA | 3.500 | 500 | |||||||||
| Verical | ZXMN3G32DN8TA | 2.000 | 500 | |||||||||
| DigiKey | 31-ZXMN3G32DN8TACT-ND | 506 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXMN3G32DN8TA | 0 | 500 | Tape & Reel |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN3G32DN8TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N-Channel 30 V 0.028 Ohm Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC T/R
2.1W 20V 3V@ 250¦ÌA 10.5nC@ 10V 2N 30V 28m¦¸@ 6A,10V 5.5A 472pF@15V SOIC-8 5mm*4mm*1.5mm
MOSFET, NN, SO-8; Module Configuration:Dual N Channel; Transistor Polarity:Dual N; Max Current Id:7.1A; Max Voltage Vds:30V; On State Resistance:0.028ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Typ Voltage Vgs th:3V; Power Dissipation:2.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Transistor Type:MOSFET; Cont Current Id:7.1A; Max Voltage Vgs:20V; Min Voltage Vgs th:1V; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:0.045ohm; On State resistance @ Vgs = 10V:0.028ohm; Pulse Current Idm:33.6A; Typ Voltage Vds:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time9.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance472 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max28 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time3.1 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time2.5 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen