Infineon AUIRF7303Q
$ 1.283
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.283
$ 0.356
Stock
24,846
594,065
Authorized Distributors
1
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
4.9 A
4.9 A
Threshold Voltage
1 V
1 V
Rds On Max
50 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.4 W
2 W
Input Capacitance
515 pF
520 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-02-28
LTD Date2018-08-31
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7303Q, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N Tube
MOSFET Dual N-Ch 30V 5.3A HEXFET SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, NN CH, 30V, 4.9A, SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Continuous Drain Current Id:4.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual N Channel; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Power Dissipation Pd:2W
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time7.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance515 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements2
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max50 mΩ
Rise Time6.2 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen