Infineon AUIRF4905STRL
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Obsolete
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$ 1.17
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Stock
252,858
1,707,747
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Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
20 mΩ
20 mΩ
20 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
150 W
150 W
Input Capacitance
3.5 nF
3.5 nF
3.5 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Verwandte Teile
InfineonIRF4905SPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -44A; 0.02ohm; 170W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF4905STRL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
TAPE AND REEL / Automotive MOSFET P channel -55V, 20mOhm, 75A, 120nC, D2Pak
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, AECQ101. P CH, 55V, 42A, TO263AB; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -42A; Drain Source Voltage Vds: -55V; On Resistance Rds(on): ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance20 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation170 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time99 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen