Infineon AUIRF4905S

Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
$ 3.405
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRF4905S herunter.

ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 SeitenVor 10 Jahren

IHS

TME

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-16.14%

Alternative Teile

Price @ 1000
$ 3.405
$ 1.17
$ 1.17
Stock
55,000
1,707,747
1,707,747
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
20 mΩ
20 mΩ
20 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
150 W
150 W
Input Capacitance
3.5 nF
3.5 nF
3.5 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31

Verwandte Teile

Single P-Channel 55 V 0.02 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
InfineonIRF4905SPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -44A; 0.02ohm; 170W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
Single P-Channel 55V 20 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 45A, 20mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon AUIRF4905S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, P-CH, -55V, 150DEG C, 170W; Available until stocks are exhausted Alternative available
TUBE / Automotive MOSFET P channel -55V, 20mOhm, 75A, 120nC, D2Pak
200W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 180nC@ 10 V 1P 55V 20m¦¸@ 42A,10V 42A 3.5nF@25V D2PAK 5.08mm
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001520184