Infineon AUIRF3710Z
$ 4.39
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 4.39
$ 0.674
Stock
91,275
305,420
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
59 A
59 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
18 mΩ
18 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
160 W
160 W
Input Capacitance
2.9 nF
2.9 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-02-28
LTD Date2018-08-31
Verwandte Teile
InfineonAUIRFB4610
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
InfineonIRF3710ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14Milliohms;ID 59A;TO-220AB;PD 160W;-55deg
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF3710Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 100V, 59A, TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:160W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:59A; Power Dissipation Pd:160W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)59 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max18 mΩ
Rise Time77 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height9.017 mm
Length10.6426 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen