onsemi SI3948DV
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD | SI3948DV | Kontakt | >1wk | |||||||||
| Nexxon Inc. (USA) | SI3948DV | Kontakt | >1wk |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySI2307CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
VishaySI2304BDS-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
onsemiCPH3455-TL-H
Single N-Channel 35 V 208 mOhm 4 nC 1 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SI3948DV, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL N-CHAN LOGIC LEVEL PWRTRENCH MOSFET
MOSFETs 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins26
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation960 mW
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
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