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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
onsemiHUF76639S3S
50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
onsemiHUF75639S3ST
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
InfineonAUIRF540ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76639S3S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
MOSFETs 50a, 100V, 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
PWR MOS ULTRAFET 100V/51A 0.028 OHMS N-CH LL TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation180 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time151 ns
Voltage Rating (DC)100 V
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