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Stock
62,775
16,885
Authorized Distributors
1
2
Mount
-
-
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
-
Continuous Drain Current (ID)
56 A
56 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
105 W
105 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2005-03-25
LTD Date2005-09-25
Verwandte Teile
InfineonIRFR3707PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.7 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 87W
onsemiNTD4302-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.4A Ta 68A Tc 68A 75W 40ns
InfineonIRLR7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 65A;D-Pak (TO-252AA);PD 75W
InfineonIRLR7821TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 65A;D-Pak (TO-252AA);PD 75W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUF76129S3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Not available to order 56a, 30V N-Ch MOSFET
56 A 30 V 0.023 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Field Effect Tube (MOSFET)
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation105 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Power Dissipation105 W
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time68 ns
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