onsemi FGA40N60UFDTU
$ 1.82
Obsolete
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CAD-Modelle
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Verwandte Teile
InfineonIRG4BC40UPBF
600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTGW20V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
STMicroelectronicsSTGP19NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FGA40N60UFDTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE IGBT Transistor 3V @ 15V 20A 40A 160W 95ns
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT 600V 40A 160W TO3P
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-TO-3P
RS APAC
IGBTs Ultrafast IGBT
IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage3.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating40 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time250 ns
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Reverse Recovery Time95 ns
Rise Time30 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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