Diodes Inc. ZXTN25100DFHTA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXTN2020FTA
Single Bipolar Transistor, NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
ROHMSSTA28T116
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMSSTA06T116
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN25100DFHTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ZXTN25100 Series 100 V 2.5 A 1.25 W NPN Medium Power Transistor - SOT23
100V 1.25W 300@10mA,2V 2.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
100V, SOT23, NPN medium power transistor VCEO=100V VEBO=7V IC=2.5A
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
330mV@ 250mA,2.5A NPN 1.81W 7V 50nA 180V 100V 2.5A SOT-23-3 1.12mm
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:175MHz; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:2.5A; DC Current Gain hFE:450; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:95mV; Continuous Collector Current Ic Max:2.5A; Current Gain Hfe Max:900; Current Ic Continuous a Max:2.5A; Current Ic hFE:10mA; Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:10mA; DC Current Gain Hfe Max:900; DC Current Gain Hfe Min:300; Gain Bandwidth ft Typ:175MHz; Hfe Min:300; Hfe Typ:450; Hfe Typ:450; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:1.25W; Power Dissipation Ptot Max:1.25W; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:180V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage330 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency175 MHz
Gain Bandwidth Product175 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency175 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen