Diodes Inc. ZXTN2020FTA

Single Bipolar Transistor, NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
$ 0.369
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. ZXTN2020FTA herunter.

IHS

Datasheet6 SeitenVor 20 Jahren

Diodes Inc SCT

DigiKey

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-15.65%

CAD-Modelle

Laden Sie Diodes Inc. ZXTN2020FTA Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-10-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.ZXTN25100BFHTA
100V 1.25W 100@10mA,2V 3A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Diodes Inc.FMMT493TA
Single Bipolar Transistor, NPN, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.FMMT624TA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 125 V, 1 A, 625 mW, SOT-23, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiMMBTA06
80V 300mW 100@10mA,1V 0.5A NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN2020FTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single Bipolar Transistor, NPN, 100 V, 4 A, 1.2 W, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ZXTN2020F Series 4 A 100 V SMT NPN Silicon Medium Power Transistor - SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); ZXTN2020FTA; DIODES; NPN; 100 V; 4 A; 3
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor type:Bipolar Medium Power; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic continuous a max:4A; Voltage, Vce sat max:30mV; Power dissipation:1.2W; hfe, min:100; ft, typ:130MHz; Case style:SOT-23 (TO-236); Temperature, operating range:-55°C to +150°C; Current, Ic hFE:10mA; Current, Ic max:4A; Marking, SMD:853; Power, Ptot:1.2W; Termination Type:SMD; Transistor polarity:NPN; Voltage, Vcbo:160V; hFE, min:100; hFE, typ:220; hfe, max:60; hfe, typ:220; Current, Ic hFE -Do Not Use see ID 1182:10mA

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated