Diodes Inc. ZXMP7A17KTC
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMP6A17KTC
Mosfet, P-Ch, 60V, 6.6A, Dpak Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP6A17KTC
Diodes Inc.ZXMN7A11KTC
Mosfet, N-Ch, 70V, 6.1A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN7A11KTC
onsemiFDD24AN06LA0-F085
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, 40A, To252Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDD24AN06LA0-F085
InfineonIRFR5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMP7A17KTC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ZXMP7A17K Series P-Channel 70 V 0.16 Ohm Power MOSFET Surface Mount - TO-252-3
Trans MOSFET P-CH 70V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK
70 V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 70V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AEC-Q101, P CH, -70V, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.8A; Drain Source Voltage Vds:-70V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Current Rating-5.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-70 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)70 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance635 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation9.25 W
Min Breakdown Voltage70 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation9.25 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 mΩ
Rise Time3.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time27.9 ns
Turn-On Delay Time2.5 ns
Voltage Rating (DC)-70 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen