Diodes Inc. ZXMP6A17KTC
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMP7A17KTC
ZXMP7A17K Series P-Channel 70 V 0.16 Ohm Power MOSFET Surface Mount - TO-252-3
Diodes Inc.ZXMP6A16KTC
Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 60V DPAK
Diodes Inc.DMN6068LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 68 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIRFR5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
InfineonIRFR5505TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
InfineonIRFR5505TRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMP6A17KTC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, P-Ch, 60V, 6.6A, Dpak Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP6A17KTC
P-Channel 60 V 125 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 60V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance637 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation9.25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation9.25 W
Rds On Max125 mΩ
Resistance125 mΩ
Rise Time3.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26.2 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen