Diodes Inc. ZXMP6A18DN8TA
$ 0.783
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMP6A18DN8TA | 99 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMP6A18DN8CT-ND | 56 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMP6A18DN8TA | 15 | 1 | 6h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMP6A18DN8TA | 0 | 5 | Bulk | 6h | |||||||
| Avnet | ZXMP6A18DN8TA | 0 | 500 | 16h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25 Series 60 V 0.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
Diodes Inc.ZXMC4559DN8TA
ZXMC4559DN8 Series 60 V 0.55 Ohm Dual N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMP6A18DN8TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 4.8A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
Dual P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET -SOIC-8
MOSFET, PP CH, 60V, 4.8A, SO8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.7A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 1.25W; Transistor Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Continuous Drain Current Id, P Channel: -4.8A; Drain Source Voltage Vds, P Channel: -60V; Module Configuration: Dual; On Resistance Rds(on), P Channel: 0.055ohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Mosfet, Pp Channel, 60V, 4.8A, So8; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-3.7A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-60V; Resistencia De Activación Rds(On):0.055Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-10V |Diodes Inc. ZXMP6A18DN8TA
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Current Rating-4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.58 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max55 mΩ
Resistance55 mΩ
Rise Time5.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time4.6 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.7 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen