STMicroelectronics STS5NF60L
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-10-03
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTS5DNF60L
Dual N-Channel 60 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II Power Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STS5NF60L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount STripFET Power Mosfet - SOIC-8
N-Channel 60V - 0.045 Ohm - 5A - SO-8 STripFET MOSFET
STS5NF60L N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5 A, 60 V, 8-PIN SOIC
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube DeepGate, STripFETseries, Vds=60 V, 5 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
MOSFET, N CH, 60V, 5A, 8-SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power
Mosfet, N Ch, 60V, 5A, 8-Soic; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):45Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:8 |Stmicroelectronics STS5NF60L
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max55 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant