Diodes Inc. ZXMN4A06K
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VishaySUD42N03-3M9P-GE3
SUD42N03-3M9P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 107 A, 30 V, 3-PIN TO-252AA
InfineonIPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 / N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
STMicroelectronicsVND1NV04TR-E
Single N-Channel 55 V 500 mOhm 35 W V Ipower M0 Technology SMT Mosfet - TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN4A06K, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 10.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 40V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.2A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:40V; Current, Id Cont:7.2A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:DPAK; Termination ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:40V; Current, Id Cont:7.2A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:TO-252; Application Code:GPSW; Current, Idm Pulse:35.3A; External Depth:10.5mm; External Length / Height:2.55mm; No. of Pins:3; Power, Pd 50mm sq PCB:4.2W; Resistance, Rds on Max:0.05ohm; SMD Marking:ZXMN 4A06; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall:10.9ns; Time, Rise:3.8ns; Time, trr Typ:16ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds Max:40V; Voltage, Vgs th Min:1V; Width, External:6.8mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation9.5 W
PackagingCut Tape
Power Dissipation9.5 W
Rise Time3.8 ns
Threshold Voltage1 V
Dimensions
Width6.8 mm
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