Diodes Inc. ZVN4210ASTOA
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.413
$ 0.413
Stock
31,221
184,876
184,876
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
450 mA
450 mA
450 mA
Threshold Voltage
-
2.4 V
2.4 V
Rds On Max
1.5 Ω
1.5 Ω
1.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
700 mW
700 mW
700 mW
Input Capacitance
100 pF
100 pF
100 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZVN4210ASTOA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 100 V 1.5 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET-TO-92
Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin TO-92 T/R
Compliant Through Hole 4.95 mm 4.95 mm 453.59237 mg 8 ns Lead Free Bulk
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)450 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance100 pF
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation700 mW
Rds On Max1.5 Ω
Resistance1.5 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height4.95 mm
Length4.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen