Diodes Inc. ZVN3310A

N-channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet | Mosfet N-ch 100V 200MA TO92-3
$ 0.407
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkZVN3310A4.4031
VericalZVN3310A4.0004K
Arrow ElectronicsZVN3310A4.0004K
DigiKeyZVN3310A-ND10.2951Bulk
TME
2
ZVN3310A01
16h

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Newark

Datasheet3 SeitenVor 19 Jahren
Datasheet3 SeitenVor 19 Jahren

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.ZVN3310A
Diodes Inc.ZVN3310ASTZ
Price @ 1000
$ 0.407
$ 0.415
Stock
226,153
248,785
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
200 mA
200 mA
Threshold Voltage
2.4 V
-
Rds On Max
10 Ω
10 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Input Capacitance
40 pF
40 pF

Lieferkette

Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details
Diodes Inc.ZVP2110A
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92
Details
Diodes Inc.ZVP2110ASTZ
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line Box
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZVN3310A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
Win Source
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 200 mA, 10 ohm, TO-226AA, Through Hole
Avnet
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N E-LINE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):10ohm; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:1.27mm; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Ptot Max:625mW; Pulse Current Idm:2A
element14 APAC

Bilder

Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • ZVN3310 A
  • ZVN3310A.