Diodes Inc. ZTX690B

ZTX690B Series NPN 2 A 45 V Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3
$ 0.461
Production
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsZTX690B2.669260
DigiKeyZTX690B-ND4.2251Bulk
TME
2
ZTX690B01
19h
NewarkZTX690B01
AvnetZTX690B04K
2d

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet3 SeitenVor 19 Jahren
Datasheet3 SeitenVor 19 Jahren

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.ZTX690B
Diodes Inc.ZTX690BSTZ
Price @ 1000
$ 0.461
$ 0.471
Stock
279,223
1,148,562
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
Max Collector Current
2 A
2 A
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
150
150
Power Dissipation
1 W
1 W

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 750mW 160MHz
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onsemiKSD1616LBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Details
onsemiBC182LB
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 500 mA, 350 mW, TO-92, Through Hole
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZTX690B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

ZTX690B Series NPN 2 A 45 V Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3
Future Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
IHS
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ, ft:150MHz; Power Dissipation, Pd:1W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain Max (hfe):500 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:45V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; Case Style:E-Line; Current Ic @ Vce Sat:1A; Current Ic hFE:1A; Full Power Rating Temperature:25°C; Max Current Ic:2A; Max Current Ic Continuous a:2A; Max Power Dissipation Ptot:1W; Max Voltage Vce Sat:0.5V; Min Gain Bandwidth ft:150MHz; Min Hfe:400; No. of Transistors:1; Power Dissipation:1W; Pulsed Current Icm:6A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Bipolar; Voltage Vcbo:45V
Farnell

Bilder

RS
Future Electronics
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated