Diodes Inc. ZTX1053A
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Stock
222,100
388,274
Authorized Distributors
4
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
75 V
75 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
140 MHz
140 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
100
100
Power Dissipation
1 W
1 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Verwandte Teile
onsemiKSD1616ALBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZTX1053A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 75V 3A 1000mW Automotive 3-Pin E-Line
Bipolar Transistors - BJT NPN High Current
TRANSISTOR NPN 75V 3000MA TO92-3
250mV@ 100mA,3A NPN 1W 5V 10nA 150V 75V 3A EP-3SC , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:75V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:450; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic @ Vce Sat:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:1A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:140MHz; Hfe Min:300; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:150V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)150 V
Collector Emitter Breakdown Voltage75 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)75 V
Continuous Collector Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency140 MHz
Gain Bandwidth Product140 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency140 MHz
Voltage Rating (DC)74 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen