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Diodes Inc. MMDT2222A-7-F

Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.6 Amp 6-Pin SOT-363 Tape And Reel
$ 0.098
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
TME
2
MMDT2222A-7-F
0
1
USD
0,290
0,182
0,114
0,074
0,053
7h
Future Electronics
MMDT2222A-7-F
0
3K
Tape & Reel
USD
0,058
Avnet
MMDT2222A-7-F
0
3K
USD
0,052
21h
RS (Formerly Allied Electronics)
MMDT2222A-7-F
0
50
Bulk
USD
0,240
0,211
0,211
8h
Arrow Electronics
MMDT2222A-7-F
0
3K
USD
0,057

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet6 SeitenVor 10 Jahren

Newark

Diodes Inc SCT

Future Electronics

Jameco

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.MMDT2222A-7-F
PanjitMMDT2222A_R1_00001
Price @ 1000
$ 0.098
$ 0.045
Stock
2,931,152
33,957
Authorized Distributors
5
5
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-363
-
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
-
Max Collector Current
600 mA
600 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
-
hFE Min
40
40
Power Dissipation
200 mW
-

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

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Details
ROHMUMZ1NTR
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 150mW 6-Pin UMT T/R / TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. MMDT2222A-7-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.6 Amp 6-Pin SOT-363 Tape And Reel
Jameco
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Semicontronic
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 40 V, 600 mA, 200 mW
Avnet
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R / TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
Win Source
MMDT2222A Series Dual NPN 40 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-363
Future Electronics
General Purpose Transistor Sot363 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. MMDT2222A-7-F
Newark
BIPOLAR TRANSISTOR DUAL NPN SOT-363 ROHS 3K
Master Electronics
TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Collector Emitter Voltage Vces:1V; Current Ic Continuous a Max:600mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Small Signal
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Bilder

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TME
iiiC
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Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MMDT2222A-7F
  • MMDT2222A7F