ROHM UMH3NTN
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Stock
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149,668
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
-
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
100
100
Power Dissipation
150 mW
-
Verwandte Teile
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Bipolar Transistors (BJT); DCX114YU-7-F; DIODES; NPN, PNP; 6; 50 V; 100 mA
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM UMH3NTN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
UMH3N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-88
100@1mA,5V 2 NPN - Pre-Biased 150mW 100mA 50V SOT-323-6 Digital Transistors ROHS
TRANSISTOR DUAL UM6 NPN/NPN; Digital Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:-; Resistor Ratio
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Operating Supply Voltage50 V
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant